[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201210269320.8 申请日: 2012-07-30
公开(公告)号: CN102789106A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 张学辉 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种有机半导体阵列基板及其制备方法以及显示装置,属于液晶显示领域,为解决现有技术中制作有机半导体阵列基板时,制备过程繁琐,且消耗大量材料的问题而设计。一种有机薄膜晶体管阵列基板,包括:在透明基板上形成的像素结构;所述像素结构包括:栅线、数据线、有机薄膜晶体管、像素电极、公共电极线和公共电极;所述有机薄膜晶体管包括:栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极;所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层;在所述第一堤绝缘层和所述第二堤绝缘层的开口和通孔处打印所述像素结构。
搜索关键词: 有机 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 以及 显示装置
【主权项】:
一种有机薄膜晶体管阵列基板,包括:在透明基板上形成的像素结构;所述像素结构包括:栅线、数据线、有机薄膜晶体管、像素电极、公共电极线和公共电极;所述有机薄膜晶体管包括:栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极;其特征在于:所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层;其中,在所述第一堤绝缘层上设置有第一通孔、第一开口和第二开口;所述源极和漏极位于所述第一通孔的两侧;所述第一开口中形成所述栅线,所述第二开口中形成所述公共电极线;所述第一通孔中自下而上依次形成所述有机半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极,所述栅极连接所述栅线;所述有机半导体层连接所述源极和漏极。
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