[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管阵列及其制备方法以及显示装置。

背景技术

有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistor，以下简称OTFT）因适用于大面积的加工和柔性基板，并且具有工艺成本较低等优点，在平板显示领域拥有很好的发展前景。通常在OTFT阵列基板的制作中需要多次构图工艺，以形成图案化的层结构，在此过程中消耗大量栅极、栅绝缘层以及有机半导体材料，而且制作效率较低。

ADSDS（高级超维场转换技术，ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS）型液晶显示器是现有的一种宽视角显示器，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

在ADS模式的液晶显示屏中，有机薄膜晶体管阵列基板的制备，即形成栅极、栅绝缘、有机半导体层源漏电极、信号线以及像素电极时，一般通过多次构图工艺完成，即多次进行沉积、曝光和刻蚀，从而导致有机薄膜晶体管阵列基板的制备的工艺繁琐，效率较低，材料浪费严重。

发明内容

本发明的实施例提供一种有OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种OTFT阵列基板，包括：在透明基板上形成的像素结构；

所述像素结构包括：栅线、数据线、OTFT、像素电极、公共电极线和公共电极；

所述OTFT包括：栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极；

所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层；

其中，在所述第一堤绝缘层上设置有第一通孔、第一开口和第二开口；

所述第一开口中形成所述栅线，所述第二开口中形成所述公共电极线；

所述第一通孔中自下而上依次形成所述有机半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极，所述栅极连接所述栅线；所述有机半导体层连接所述源极和漏极。

一种OTFT阵列基板的制备方法，包括：

S1:在基板上形成像素电极、数据线、源极和漏极；

S2:在经过步骤S1的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形；

S3：在经过步骤S2的基板上形成公共电极和公共电极的图形；。

一种显示装置，包括上述有机薄膜晶体管阵列基板。

本发明实施例提供的一种OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置，通过光敏树脂所分别形成的第一堤绝缘层和第二堤绝缘层，并且在第一堤绝缘层和第二堤绝缘层上的通孔和开口中通过喷墨打印形成有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线，从而快速高效的形成OTFT阵列基板中的有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构，节省了形成有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的材料，并且更好的控制了有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的精确度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所述的一种OTFT阵列结构的俯视图；

图2为本发明实施例所述的一种OTFT阵列结构沿A-A’的剖视图；

图3为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列结构的俯视图；

图4为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列结构沿C-C’的剖视图；

图5为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法的流程图；

图6为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法中沉积透明导电薄膜和光刻胶后的结构示意图；

图7为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法中刻蚀透明导电薄膜后的俯视图；

图8为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法形成第一堤绝缘层及其包裹的结构的剖视图；