[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管阵列基板，包括：在透明基板上形成的像素结构；

所述像素结构包括：栅线、数据线、有机薄膜晶体管、像素电极、公共电极线和公共电极；

所述有机薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极；其特征在于：

所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层；

其中，在所述第一堤绝缘层上设置有第一通孔、第一开口和第二开口；所述源极和漏极位于所述第一通孔的两侧；

所述第一开口中形成所述栅线，所述第二开口中形成所述公共电极线；

所述第一通孔中自下而上依次形成所述有机半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极，所述栅极连接所述栅线；所述有机半导体层连接所述源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

在所述第二堤绝缘层上设置有相连通的第三开口和第二通孔，所述第二通孔与所述第二开口连通；

在所述第三开口和所述第二通孔中打印形成公共电极，其中所述公共电极与所述公共电极线通过所述第二通孔连接。

3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极、所述漏极和所述数据线表面设置有金属薄膜。

4.根据权利要求3所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极延伸至所述第一通孔中，所述源极和所述漏极不连接，且所述源极和所述漏极之间的距离小于所述第一通孔两侧的所述金属薄膜之间的距离。

5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的厚度大于所述源极和所述漏极的厚度。

6.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层与所述第一通孔两侧的所述源极和所述漏极的侧壁连接。

7.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一堤绝缘层和所述第二堤绝缘层为光敏树脂材料。

8.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线、所述源极、所述漏极、所述像素电极和所述公共电极的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。

9.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的材料为噻吩化合物或酞菁化合物。

10.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为聚乙烯醇。

11.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅极为导电聚噻吩化合物、铜或银中一种。

12.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，设置在所述第一开口中的所述栅线、设置在所述第二开口中的所述公共电极线和设置在所述第一通孔中的所述栅极的上表面与所述第一堤绝缘层的上表面齐平。

13.根据权利要求3或4所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属薄膜的材料为铝、钨、铬、钽、钼或铜中一种。

14.一种有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1:在基板上形成像素电极、数据线、源极和、漏极；

S2:在经过步骤S1的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形；

S3：在经过步骤S2的基板上形成公共电极的图形。

15.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括；

在经过步骤S1的基板上涂覆光敏树脂，固化形成第一堤绝缘层，在所述第一堤绝缘层上通过双色调掩模板进行曝光显影，形成第一通孔、第一开口和第二开口，在所述第一通孔中打印形成有机半导体层，在所述有机半导体层上打印栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上、所述第一开口和所述第二开口中打印形成栅极、栅线和公共电极线，其中，所述有机半导体层连接所述源极和所述漏极。