[发明专利]SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺有效
| 申请号： | 201210256492.1 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103569944A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李志刚;尚海平;焦斌斌;卢狄克;孔延梅;刘瑞文;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 昆山光微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺，包括以下步骤：①在一块体硅表面淀积一层SiO2层；②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入；③采用炉管退火工艺进行退火；④采用蒸发或者溅射工艺，在SiO2层表面淀积一层Al膜；⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层；⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除；⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。该工艺能对SiO2/Al复合梁的残余应力进行调节，从而使复合梁曲率半径增大，反光板角度较小，进而提高了以SiO2/Al为形变梁的非制冷红外芯片的成像质量。同时，该工艺可以可根据器件应用，适当调整其中参数，来控制复合梁的应力出现张或者压应力。 | ||
| 搜索关键词： | sio sub al 材料 复合 应力 调整 工艺 | ||
【主权项】：
一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺，其特征在于包括以下步骤：①在一块体硅（1）表面淀积一层SiO2层（2）；②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入；③采用炉管退火工艺进行退火；④采用蒸发或者溅射工艺，在SiO2层表面淀积一层Al膜（3）；⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层（4）；⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除；⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。
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