[发明专利]SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺有效
申请号: | 201210256492.1 | 申请日: | 2012-07-23 |
公开(公告)号: | CN103569944A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 李志刚;尚海平;焦斌斌;卢狄克;孔延梅;刘瑞文;陈大鹏 | 申请(专利权)人: | 昆山光微电子有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sio sub al 材料 复合 应力 调整 工艺 | ||
1.一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于包括以下步骤:
①在一块体硅(1)表面淀积一层SiO2层(2);
②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入;
③采用炉管退火工艺进行退火;
④采用蒸发或者溅射工艺,在SiO2层表面淀积一层Al膜(3);
⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层(4);
⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除;
⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤①中,所述SiO2层厚度为400-600nm。
3.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤②中,注入的P型杂质为磷,注入能量为14~16 keV,注入剂量为5e13~5e15 cm-2。
4.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤③中,所述炉管退火温度为600~900℃,时间1~3h。
5.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤④中,所述Al膜厚度为200~300nm。
6.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤⑤中,所述非晶硅层的厚度为200~300nm。
7.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤⑥中,采用XeF2干法腐蚀工艺将复合梁上面的非晶硅层去除,采用湿法腐蚀工艺将复合梁下面的体硅去除。
8.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤⑦中,所述烘箱退火工艺为从室温开始升温,升至160~180℃,恒温0.5~1h,然后继续升温至280~300℃,恒温0.5~1h,然后再继续升温至340~380℃,恒温1~2h,之后再降温至160~180℃。
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