[发明专利]SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺有效

专利信息
申请号: 201210256492.1 申请日: 2012-07-23
公开(公告)号: CN103569944A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 李志刚;尚海平;焦斌斌;卢狄克;孔延梅;刘瑞文;陈大鹏 申请(专利权)人: 昆山光微电子有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: sio sub al 材料 复合 应力 调整 工艺
【权利要求书】:

1.一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于包括以下步骤:

①在一块体硅(1)表面淀积一层SiO2层(2);

②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入;

③采用炉管退火工艺进行退火;

④采用蒸发或者溅射工艺,在SiO2层表面淀积一层Al膜(3);

⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层(4);

⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除;

⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤①中,所述SiO2层厚度为400-600nm。

3.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤②中,注入的P型杂质为磷,注入能量为14~16 keV,注入剂量为5e13~5e15 cm-2

4.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤③中,所述炉管退火温度为600~900℃,时间1~3h。

5.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤④中,所述Al膜厚度为200~300nm。

6.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤⑤中,所述非晶硅层的厚度为200~300nm。

7.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤⑥中,采用XeF2干法腐蚀工艺将复合梁上面的非晶硅层去除,采用湿法腐蚀工艺将复合梁下面的体硅去除。

8.根据权利要求1所述的SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺,其特征在于:在所述步骤⑦中,所述烘箱退火工艺为从室温开始升温,升至160~180℃,恒温0.5~1h,然后继续升温至280~300℃,恒温0.5~1h,然后再继续升温至340~380℃,恒温1~2h,之后再降温至160~180℃。

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