[发明专利]P型、n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210247320.8 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102769079A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 廖丰标;顾玲 | 申请（专利权）人： | 江苏扬景光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226600 江苏省南通市海安*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在该衬底的正面外延成长发光二极管的发光结构，该发光结构包括依次形成的氮化镓缓冲层和氮化镓发光二极管磊晶层，其中氮化镓发光二极管磊晶层包括依次设置的n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层上形成p-电极结构，该p-电极结构包括依次设置的透明电极和p-焊盘；在衬底背面打孔，停留在n型氮化镓层；在衬底背面形成n-电极结构，该n-电极结构包括依次设置的透明电极、反射金属层和接合金属层。本发明还公开了一种n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法。本发明能增加垂直传导氮化物LED的出光量与发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 垂直 传导 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种p型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法，包括如下步骤：(1)提供一衬底，在该衬底的正面外延成长发光二极管的发光结构，该发光结构包括依次形成的氮化镓缓冲层和氮化镓发光二极管磊晶层，其中氮化镓发光二极管磊晶层包括依次设置的n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层；(2)在p型氮化镓层上形成p‑电极结构，该p‑电极结构包括依次设置的透明电极和p‑焊盘；(3)在衬底背面打孔，停留在n型氮化镓层；(4)在衬底背面形成n‑电极结构，该n‑电极结构包括依次设置的透明电极、反射金属层和接合金属层。
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