[发明专利]半导体集成电路系统及其驱动方法有效
| 申请号： | 201210246585.6 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103021457A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朴海赞;金秀吉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路系统及其驱动方法，所述半导体集成电路系统包括：相变线，所述相变线包括构成第一存储器单元的第一相变区域和构成第二存储器单元的第二相变区域；写入电流提供单元，所述写入电流提供单元被配置成将所述第一相变区域和所述第二相变区域中的选中的一个相变区域相变；以及相变补偿单元，所述相变补偿单元被配置成通过对所述第一相变区域和所述第二相变区域中的另一个相变区域因所述选中的相变区域的相变而引起的伪相变进行补偿，来修复所述另一个相变区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 系统 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路系统，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个字线、与所述多个字线交叉的多个位线，以及形成在所述多个字线与所述多个位线的每个交叉处的相变存储器单元；复位电流单元，所述复位电流单元被配置成将复位电流施加到所述位线中的位线以将从所述相变存储器单元之中选中的一个相变存储器单元控制为具有非晶状态；设定电流单元，所述设定电流单元被配置成将设定电流施加到所述位线中的位线以将从所述相变存储器单元之中选中的一个相变存储器单元控制为具有结晶状态；以及相变补偿单元，所述相变补偿单元被配置成经由与每个选中的相变存储器单元相邻的存储器单元的字线，施加校正电流到所述相邻的存储器单元，以补偿所述相邻的存储器单元的相变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210246585.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
