[发明专利]集成有肖特基二极管的功率器件及其制造方法

摘要

提出了一种集成有功率晶体管和肖特基二极管的功率器件及形成功率器件的方法。根据本发明实施例的功率器件包括功率晶体管、肖特基二极管以及沟槽阻隔体，其中所述功率晶体管具有漏区，所述肖特基二极管形成于所述漏区中，所述沟槽阻隔体形成于所述肖特基二极管附近，可以用于降低所述肖特基二极管的反向泄漏电流。根据本发明实施例的功率器件具有良好的单向导通电流性能，并且反向泄漏电流较小。另外，根据本发明实施例的功率器件还可以消除或者至少降低由寄生BJT引起的载流子注入衬底的问题。再者，根据本发明实施例的功率器件还可以具有改善的反向击穿电压，并且尺寸也可能减小。

主权项

一种功率器件，包括：半导体衬底；功率晶体管，形成于所述半导体衬底中，其中所述功率晶体管包括漏区、源区、栅区以及耦接所述漏区的漏极金属；沟槽阻隔体，形成于所述功率晶体管的漏区中，其中所述沟槽阻隔体包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽由所述漏区的一部分隔开；以及肖特基二极管，形成于所述第一沟槽和第二沟槽之间，其中所述肖特基二极管具有阳极和阴极，所述的阳极包括所述漏极金属，所述阴极包括所述漏区的一部分。