[发明专利]层叠封装的封装结构及其制法

摘要

一种层叠封装的封装结构及其制法，该层叠封装的封装结构包括基板、绝缘保护层、置晶连接端、电性连接端、介电层、铜柱、半导体芯片、焊球与封装结构，该基板上分别具有多个置晶垫与多个电性接触垫，该绝缘保护层形成于该基板、置晶垫与电性接触垫上，该置晶连接端与电性连接端分别对应电性连接各该置晶垫与电性接触垫，该介电层形成于该绝缘保护层、置晶连接端与电性连接端上，并具有对应该置晶区与各该电性连接端的介电层开孔，该半导体芯片设于该介电层开孔中的置晶连接端上，该铜柱形成于各该介电层开孔中，该焊球形成于靠该置晶区较近的一侧的各该铜柱上，该封装结构叠置并电性连接于该焊球上。本发明能有效缩减封装结构的体积。

主权项

一种层叠封装的封装结构，其包括：第一基板，其具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面定义有置晶区与围绕该置晶区的非置晶区，该置晶区与非置晶区的第一表面上分别具有多个置晶垫与多个第一电性接触垫；第一绝缘保护层，其形成于该第一表面、置晶垫与第一电性接触垫上，并具有多个对应外露各该置晶垫与各该第一电性接触垫的第一绝缘保护层开孔；多个置晶连接端与电性连接端，其形成于该第一绝缘保护层上，并分别对应电性连接各该置晶垫与第一电性接触垫；介电层，其形成于该第一绝缘保护层、置晶连接端与电性连接端上，并具有分别对应该置晶区与各该电性连接端的第一介电层开孔与第二介电层开孔；第一铜柱，其形成于该各该第二介电层开孔中；第一半导体芯片，其设于该第一介电层开孔中，且电性连接于该置晶连接端上；第一焊球，其形成于靠该置晶区较近的一侧的各该第一铜柱上；以及第一封装结构，其叠置并电性连接于该第一焊球上。