[发明专利]一种用于硅通孔平坦化的化学机械抛光液有效
| 申请号： | 201210208494.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103509468B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 姚颖;宋伟红;孙展龙 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于硅通孔的化学机械抛光液，至少含有一种研磨颗粒，一种唑类化合物，一种酸，一种或多种阴离子表面活性剂和一种氧化剂。该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率，和较低的氮化硅去除速率，能够对硅通孔阻挡层进行高效的平坦化，同时不产生金属腐蚀，且对金属铜的去除速率可线性调节，具有较高的缺陷校正能力和较低的表面污染物指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅通孔 平坦 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
一种用于硅通孔平坦化的化学机械抛光液，包含：研磨颗粒，酸，阴离子表面活性剂，氧化剂和唑类化合物及其衍生物，其中，所述阴离子表面活性剂为萘磺酸盐类表面活性剂和磷酸酯盐类表面活性剂的混和物，所述阴离子表面活性剂的浓度为50‑2000ppm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
