[发明专利]一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法有效
| 申请号： | 201210204463.0 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102723294A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;王洲男;龙吟;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法。本发明提出一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，通过在多晶硅栅极和有源区上设置等距等孔径的接触孔，并通过电子显微镜进行检测，得到有量化数值的在平面内工艺对准度的分布图，从而更好的控制工艺的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 接触 多晶 栅极 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一半导体结构的有源区上设置多晶硅栅极；步骤S2：在所述多晶硅及剩余有源区上等距设置多个相同的接触孔；步骤S3：采用光学方法检测并计算出对准工艺的偏差值；其中，所述多晶硅栅极的长度根据接触孔的孔径、孔间距和栅极多晶硅的宽度决定。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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