[发明专利]一种立方氧化锆-β相碳化硅复相耐高温粉体材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210194570.X 申请日: 2012-06-14
公开(公告)号: CN102701749A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 黄朝晖;徐友果;房明浩;刘艳改;尹丽;关鸣;吴泽霖 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: C04B35/63 分类号: C04B35/63;C04B35/48;C04B35/565
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种立方氧化锆-β相碳化硅复相耐高温粉体材料的制备方法,属于耐高温粉体材料制备技术领域。其特征是以锆英石、锆英砂或硅酸锆为主要原料,以炭黑、焦炭、石墨、或活性炭为还原剂,以氧化镁、氧化钙、氧化钇或氧化铈为添加剂,按一定比例配料混合后,经球磨、干燥、成型、碳热还原等工艺过程制备立方氧化锆-β相碳化硅复相耐高温粉体材料。所述立方氧化锆-β相碳化硅复相耐高温粉体材料的制备方法具有工艺流程短,无污染,能耗低和成本较低等诸多优势。
搜索关键词: 一种 立方 氧化锆 碳化硅 耐高温 材料 制备 方法
【主权项】:
一种立方氧化锆‑β相碳化硅复相耐高温粉体材料的制备方法,其特征在于:以总配料质量计0.1%~99.0%锆英石、锆英砂或硅酸锆,以及0.1%~99.0%炭黑、焦炭、石墨或活性炭为原料,以总配料质量计0.1%~99.0%MgO、CaO、Y2O3或CeO2为稳定剂,经配料混料、球磨、干燥、成型等工艺过程制备试样生坯,在选自焦炭掩埋的密闭还原性气氛中或选自氩气保护的惰性气体中,在1400℃~1800℃下反应时间0.1小时~100小时,制备获得立方氧化锆‑β相碳化硅复相耐高温粉体材料。
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