[发明专利]多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法无效
| 申请号： | 201210181935.5 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102672296A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田艳红;孔令超;王春青;刘威 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B23K1/06 | 分类号： | B23K1/06;B23K1/20;H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法，属于电子制造技术领域，涉及一种多层堆叠芯片的低温键合方法。为了实现叠层封装中堆叠芯片的低温高可靠互连，本发明所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品，其中超声键合具体步骤如下：精密对准和对中后，采用超声焊接机进行超声键合。本发明适用于叠层封装中芯片厚度100μm以下的2～5层硅通孔芯片的低温键合，互连焊点厚度小于10μm。本发明采用超声键合方法，键合温度50～200℃，有效降低温度对芯片的影响；可以快速实现叠层芯片间单金属间化合物连接，提高封装可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 堆叠 芯片 低温 超声键合 形成 金属 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法，其特征在于所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品，其中超声键合具体步骤如下：精密对准和对中后，采用超声焊接机进行超声键合，控制超声频率20～65kHz，键合时间5秒～5分钟，键合温度为50～200℃。
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