[发明专利]分离沟道晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210181589.0 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103137696A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;戈本·多恩伯斯;马提亚斯·帕斯拉克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍型场效应晶体管(FinFET)包括鳍片，该鳍片包括具有第一带隙的沟道分离件，以及包括位于沟道分离件的相对侧壁上的第一部分和第二部分的沟道。沟道具有小于第一带隙的第二带隙。栅电极包括位于鳍片的相对面上的第一部分和第二部分。栅极绝缘层包括位于栅电极的第一部分和沟道的第一部分之间的第一部分，以及位于栅电极的第二部分和沟道的第二部分之间的第二部分。本发明提供了分离沟道晶体管及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 沟道 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：鳍型场效应晶体管(FinFET)，包括：鳍片，包括：沟道分离件，具有第一带隙；以及沟道，包括位于所述沟道分离件的相对侧壁上的第一部分和第二部分，其中所述沟道具有小于所述第一带隙的第二带隙；栅电极，包括位于所述鳍片的相对面上的第一部分和第二部分；以及栅极绝缘层，包括位于所述栅电极的所述第一部分和所述沟道的所述第一部分之间的第一部分以及位于所述栅电极的所述第二部分和所述沟道的所述第二部分之间的第二部分。
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