[发明专利]一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法无效
| 申请号： | 201210163655.1 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102718222A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 展长勇;邹宇;刘波;任丁;林黎蔚 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;B82Y40/00;C30B33/10;C30B33/00;C25F3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法：在单晶硅片基体内，形成柱形氧化硅并封闭直孔空腔，表面覆盖氧化硅；首先采用电化学刻蚀制备自封闭的多孔硅，再置于镁和水的条件下缓慢氧化，即可形成嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔。此氧化硅纳米孔与硅片集成，制备方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入 单晶硅 封闭 氧化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔，其特征在于：包括单晶硅（1）、镶嵌在单晶硅（1）中的柱形氧化硅（3）、及表面氧化硅（4）；所述柱形氧化硅内壁围成的空腔为直孔（2）；所述直孔（2）截面为正方形结构，边长为120‑250 nm，孔深为0‑70 μm；所述表面氧化硅（4）层厚度为100‑250 nm；所述柱形氧化硅（3）壁的厚度为50‑200 nm。
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