[发明专利]硅穿导孔的制作方法无效
| 申请号： | 201210152624.6 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102709228A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吴崇熙 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅穿导孔的制作方法，其包含：以一次干式蚀刻在硅基板而形成环形硅深孔，并填入绝缘材料形成绝缘壁部；以及以一次湿式蚀刻在绝缘壁部内的硅基板而形成柱状硅深孔，并填入导电金属，以便由绝缘壁部与金属柱或金属层构成一硅穿导孔。本发明以湿式蚀刻取代了现有硅穿导孔作法中的第二次硅深孔的工艺，可使得硅穿导孔的制作较为省时，以及整个硅穿导孔的制作成本得以降低，同时在湿式蚀刻期间也可针对多片硅基板进行批次作业。 | ||
| 搜索关键词： | 硅穿导孔 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅穿导孔的制作方法，其特征在于：所述硅穿导孔的制作方法包含以下步骤：(a)提供一硅基板，包含一上表面及一下表面；(b)在所述硅基板的上表面形成一个环槽，将绝缘材料填入所述环槽内形成一绝缘壁部；(c)形成一抗蚀层于所述硅基板的上表面、下表面及所有周边，曝露所述上表面被所述绝缘壁部围绕的一圆形区域；(d)对所述圆形区域进行湿式蚀刻，使所述硅基板在所述绝缘壁部内侧形成一个深孔；(e)移除所述抗蚀层，并将金属材料填入所述深孔内形成一金属柱；及(f)研磨所述硅基板的下表面，使所述绝缘壁部与所述金属柱曝露出所述硅基板的下表面，以形成所述硅穿导孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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