[发明专利]一种具有无源金属PN结半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210149037.1 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390635B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/167 | 分类号： | H01L29/167;H01L29/86;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有无源金属PN结半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，漂移区的耗尽层在整个无源金属区界面扩展，并且在无源金属区间发生交叠，从而提高器件的反向击穿电压，也可以降低器件的导通电阻；本发明还提供了一种具有无源金属PN结半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 无源 金属 pn 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有无源金属PN结半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；无源金属区，为金属与半导体材料的化合物，无源金属区与半导体材料形成肖特基结势垒，无源金属区位于漂移层中沟槽内侧壁下部，同时沟内填充绝缘材料，无源金属区垂直衬底层方向与第一导电半导体材料交替排列构成，并且其上表面临靠绝缘材料或者第一导电半导体材料；第二导电半导体材料区，位于漂移层上表面，为第二导电半导体材料，并且与无源金属区不相连。
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