[发明专利]一种低压带隙电压基准电路及其实现方法有效
| 申请号： | 201210148468.6 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103389764A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;武晨燕 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压Bandgap电压基准电路，将两条BJT支路差分输入到采用NMOS输入对结构的运放，所述运放输出端连接电流镜，利用深度负反馈使两条BJT支路上端的电压相等；根据运放中NMOS输入对的工作情况自适应调整两条BJT支路中共基极BJT的基极电压，控制两条BJT支路的电流，保证所述运放正常工作；镜像产生Bandgap电压基准电路的输出电压；本发明同时还公开了一种低压Bandgap电压基准电路的实现方法，通过本发明的方案，能够减小Bandgap电压基准电路的输入电压，使该Bandgap电压基准电路能够在较低的输入电压下工作，并且避免了运放的偏差被放大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 电压 基准 电路 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种低压带隙(Bandgap)电压基准电路，其特征在于，该电路包括：电流镜、采用N型‑金属‑氧化物‑半导体(NMOS)输入对结构的运放、Bandgap输出电路、自适应调整电路、两条双极结型晶体管(BJT)支路；其中，所述电流镜，配置为接收运放的输出信号，提供电流给两条BJT支路；所述运放，配置为差分输入两条BJT支路上端的电压，产生输出信号给所述电流镜，利用深度负反馈使两条BJT支路上端的电压相等；所述自适应调整电路，配置为根据运放中NMOS输入对的工作情况自适应调整两条BJT支路中共基极BJT的基极电压；所述两条BJT支路，配置为根据共基极BJT的基极电压，控制自身支路的电流，保证所述运放正常工作；所述Bandgap输出电路，配置为镜像产生Bandgap电压基准电路的输出电压。
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