[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210142339.6 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102751235A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金泰昊 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体装置的方法，包括在半导体基板上形成具有接触孔的层间介电层，采用导电材料填充接触孔以形成接触图案，去除层间介电层以暴露出该接触图案，形成具有第一厚度并且环绕接触图案的侧壁的至少一部分的间隔体，形成在具有间隔体的接触图案的一个方向上延伸的位线，以及去除间隔体以在接触图案与位线之间形成空气间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，该方法包括：在半导体基板上形成包括接触孔的层间介电层；采用导电材料填充该接触孔以形成接触图案；去除该层间介电层以暴露该接触图案；形成间隔体，该间隔体具有第一厚度并且围绕该接触图案的侧壁的至少一部分；形成位线，该位线在提供有该间隔体的该接触图案的一个方向上延伸；去除间隔体以在该接触图案与该位线之间形成空气间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210142339.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种倍尺剪强制剪切方法及其系统
- 下一篇：智能真空断路器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
