[发明专利]一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法无效
| 申请号： | 201210141805.9 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102703965A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 熊震;付少永;张驰 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法，具有如下步骤：a)将一定厚度的单晶硅块紧密排列，作为诱导籽晶铺满坩埚底部；b)将边缘晶向与诱导籽晶晶向相同的单晶硅片填充在诱导籽晶缝隙中；c)然后依次将硅料、掺杂元素原料、硅料置于坩埚中；d)抽真空，通入惰性气体，边抽真空边通入惰性气体；e)加热坩埚，熔化硅料；f)定向凝固时，使坩埚底部为冷端，诱导籽晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到具有特定晶向的铸锭单晶硅。本发明的有益效果是：通过单晶硅片填充诱导籽晶之间的缝隙，能使晶体缺陷降低50%以上，大大提高了铸锭单晶硅的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 铸锭 硅单晶 晶体缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法，其特征是：具有如下步骤：a)将一定厚度的单晶硅块紧密排列，作为诱导籽晶铺满坩埚底部；b)将边缘晶向与诱导籽晶晶向相同的单晶硅片填充在诱导籽晶缝隙中，填充的单晶硅片的数量依诱导籽晶缝隙的宽度而定；c)然后依次将硅料、掺杂元素原料、硅料置于坩埚中；d)抽真空，通入惰性气体；e)加热坩埚，使作为诱导籽晶的单晶硅块接触于坩埚底部的部分不熔化，与坩埚不接触的部分、硅料及掺杂元素原料均熔化；f)定向凝固时，使坩埚底部为冷端，诱导籽晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到具有特定晶向的铸锭单晶硅。
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