[发明专利]一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法

权利要求书

1.一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法，其特征是：具有如下步骤：

a)将一定厚度的单晶硅块紧密排列，作为诱导籽晶铺满坩埚底部；

b)将边缘晶向与诱导籽晶晶向相同的单晶硅片填充在诱导籽晶缝隙中，填充的单晶硅片的数量依诱导籽晶缝隙的宽度而定；

c)然后依次将硅料、掺杂元素原料、硅料置于坩埚中；

d)抽真空，通入惰性气体；

e)加热坩埚，使作为诱导籽晶的单晶硅块接触于坩埚底部的部分不熔化，与坩埚不接触的部分、硅料及掺杂元素原料均熔化；

f)定向凝固时，使坩埚底部为冷端，诱导籽晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到具有特定晶向的铸锭单晶硅。

2.根据权利要求1所述的降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法，其特征是：所述的填充的单晶硅片的宽度w是诱导籽晶厚度h的50%~110%。

3.根据权利要求1所述的降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法，其特征是：所述的诱导籽晶的厚度h为5~50mm。

4.根据权利要求1所述的降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法，其特征是：所述的单晶硅片的厚度t为0.1~2mm。