[发明专利]采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法有效
| 申请号： | 201210140632.9 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102662309A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 叶军;斯蒂芬·亨斯克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了系统和方法，所述系统和方法用于检验所制造的光刻掩模；从掩模检验数据中提取物理掩模数据；基于在所述物理掩模数据和掩模布局数据之间的差别确定系统的掩模误差数据；基于所述系统的掩模误差数据生成系统的掩模误差参数；形成具有系统的掩模误差参数的独立的掩模误差模型；采用特定的掩模和/或特定的投影系统预期光刻过程的图案化性能；以及预期工艺修正，所述工艺修正优化图案化性能并由此优化最终器件产量。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 独立 误差 模型 验证 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括步骤：为曝光工具选择光学模型；为第二曝光工具选择第二光学模型；采用所述光学模型和掩模的独立的掩模误差模型来模拟所述曝光工具的操作，以产生第一模拟结果；采用所述第二光学模型和所述独立的掩模误差模型来模拟所述第二曝光工具的操作，以产生第二模拟结果；将所述第一模拟结果与设计目标进行比较；将所述第二模拟结果与所述设计目标进行比较；以及基于所述比较对比所述曝光工具和所述第二曝光工具的性能。
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