[发明专利]具有封装的电连接元件的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210136779.0 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102842510A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | P·劳伦特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;边海梅 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及具有封装的电连接元件的半导体器件及其制造方法。具体地，其公开了一种半导体器件及其制造方法，其中电连接元件(7)外围由封装材料(10)涂覆并且具有与模制膜(107)接触的区域(107a)对应的暴露端面(7a)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 封装 连接 元件 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：制作子组件(13)，所述子组件包括具有第一和第二相对的侧(3，4)的衬底裸片(10)、布置在所述衬底的第一侧上的至少一个集成电路芯片(5)和外部电连接元件(7)；在如下位置将所述子组件布置于模具的空腔(104)中，所述模具包括第一和第二相对的平面型面并且配备有与它的第一面(105)相抵的模制膜(107)，所述模制膜(107)由可变形材料制成并且具有在所述空腔中暴露的平面型面，所述位置使得所述衬底裸片的第二侧与所述空腔的第二面相抵、使得所述衬底裸片与所述模制膜接触以及使得所述电连接元件穿过所述模制膜的先前平面型表面而穿透到所述模制膜中并且与所述模制膜的相应的负重区域(107a)接触；向所述模具的所述空腔中注入或者热压缩入封装材料(10)；以及提取获得的所述半导体器件，这一半导体器件的所述电连接元件外围由所述封装材料涂覆并且具有与所述负重区域对应的暴露端面(7a)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(格勒诺布尔2)公司，未经意法半导体(格勒诺布尔2)公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210136779.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚晶金刚石复合片以及相关的方法和应用
- 下一篇：产品整形机治具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
