[发明专利]用于支承半导体晶片的基座以及在半导体晶片的正面上沉积层的方法无效
| 申请号： | 201210116686.1 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751221A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | N·维尔纳;C·哈格尔;R·绍尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括：用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合：(D-d)/2＜T；及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 支承 半导体 晶片 基座 以及 面上 沉积 方法 | ||
【主权项】：
用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括：用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合：(D‑d)/2＜T；及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
