[发明专利]一种单晶硅铸锭装料方法有效
申请号: | 201210109230.2 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN102732945A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 司佳勇;吴博娜;史记全 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种单晶硅铸锭装料方法,包括:在坩埚底部平铺流化床层,所述流化床为尺寸在1mm-3mm之间的硅料;在所述流化床层与坩埚液位线之间铺设由棒形硅料、中块硅料以及碎多晶棒形硅料构成的第一混合层;在所述第一混合层上铺设由大块硅料以及中块硅料构成的第二混合层,所述第二混合层上部以圆锥状堆放;其中,所述第一混合层的硅料之间缝隙以及第二混合层的硅料之间缝隙通过流化床和/或小块硅料填充;所述流化床为尺寸在1mm-3mm之间的硅料;所述小块硅料尺寸为10mm-20mm;所述中块硅料尺寸为30mm-50mm;所述大块硅料尺寸为50mm-75mm。该方法降低了生产成本,且避免了硅料熔化时溅料问题的发生。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 铸锭 装料 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶炉铸锭装料方法,其特征在于,包括:在坩埚底部平铺流化床层,所述流化床为尺寸在1mm‑3mm之间的硅料;在所述流化床层与坩埚液位线之间铺设由棒形硅料、中块硅料以及碎多晶棒形硅料构成的第一混合层;在所述第一混合层上铺设由大块硅料以及中块硅料构成的第二混合层,所述第二混合层上部以圆锥状堆放;其中,所述第一混合层的硅料之间缝隙以及第二混合层的硅料之间缝隙通过流化床和/或小块硅料填充;所述流化床为尺寸在1mm‑3mm之间的硅料;所述小块硅料尺寸为10mm‑20mm;所述中块硅料尺寸为30mm‑50mm;所述大块硅料尺寸为50mm‑75mm。
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