[发明专利]一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法有效
| 申请号： | 201210107975.5 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102629073A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;赵泽宇;冯沁;刘凯鹏;王长涛;高平;杨磊磊;刘玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法，其步骤为：在基底上制备光栅阵列结构；在光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层；使用RIE进行各向同性刻蚀，或用腐蚀液对光栅线条进行各向同性湿法腐蚀，控制RIE刻蚀或湿法腐蚀的深度使光栅线条的宽度缩小至预定值；在宽度缩小的光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在宽度缩小的光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层。本发明得到的线条数量为原有光栅的四倍，光栅周期缩小为原有光栅周期的四分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 表面 等离子体 光刻 纳米 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法，其特征在于：该方法的步骤如下：步骤(1)在基底上制备光栅阵列结构；步骤(2)向光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层，在每条光栅线条该侧得到一条没有掩蔽膜层的窄缝；步骤(3)各向异性RIE刻蚀基底；步骤(4)去除掩蔽层，得到一组刻蚀传递到基底上的窄缝线条；步骤(5)然后向光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，在光栅线条另一侧得到第二组刻蚀传递到基底上的窄缝线条；步骤(6)使用RIE进行各向同性刻蚀，或用腐蚀液对光栅线条进行各向同性湿法腐蚀，控制RIE刻蚀或湿法腐蚀的深度使光栅线条的宽度缩小至预定值；步骤(7)在宽度缩小的光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀、去除掩蔽层，得到第三组窄缝线条，然后在宽度缩小的光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀、去除掩蔽层，得到第四组窄缝线条，这样由每一条光栅线条可以得到四条平行的线条，即四倍频。
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