[发明专利]薄膜LED芯片器件及其制造方法及应用

摘要

本发明提供一种薄膜LED芯片器件包括：设有蚀刻凹槽的GaN基外延薄膜基层；该GaN基外延薄膜基层的P型半导体层的表面附着金属反射层；该金属反射层与GaN基外延薄膜基层上沉积有钝化膜，形成GaN基外延薄膜；位于金属反射层表面的钝化膜与蚀刻凹槽底面的钝化膜各设有镂空区域；P极多层金属粘合层与N极多层金属粘合层各设于相应的镂空区域；该P极多层金属粘合层与N极多层金属粘合层上分别设有P极导电支撑厚金属层与N极导电支撑厚金属层；固定膜，其包覆于GaN基外延薄膜上。本发明还提供薄膜LED芯片器件的制造方法及应用。本发明降低后续激光剥离工艺中晶片破裂的发生率与形变几率，提升产品的良品率。

主权项

一种薄膜LED芯片器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a、在衬底上依次生长N型半导体层、活性层、P型半导体层，以此组成GaN基外延薄膜基层；b、蚀刻凹槽，该蚀刻凹槽沿P型半导体层的表面延伸至N型半导体层，使该N型半导体层外露；c、在P型半导体层的表面附着一与其欧姆接触的金属反射层；d、蚀刻划片凹槽，该划片凹槽沿金属反射层的表面延伸至衬底与N型半导体层的结合面，将整个GaN基外延薄膜基层分割为若干单元；e、沿金属反射层与GaN基外延薄膜外露的各表面与各侧面沉积一绝缘的钝化膜，形成GaN基外延薄膜；f、局部的去除金属反射层表面的钝化膜与蚀刻凹槽底面的钝化膜，露出金属反射层与N型半导体层；g、在金属反射层外露的位置沉积一P极多层金属粘合层，在N型半导体层外露的位置沉积一N极多层金属粘合层；h、在P极多层金属粘合层电学连接P极导电支撑厚金属层及在N极多层金属粘合层电学连接N极导电支撑厚金属层；然后，在GaN基外延薄膜上涂布绝缘材料后热处理固化形成固定膜；去除划片凹槽内的固定膜，并使该P极导电支撑厚金属层与该N极导电支撑厚金属层的一端外露于固定膜，制成带衬底的整片GaN基外延薄膜器件；或者，在GaN基外延薄膜上涂布绝缘材料，热处理固化形成固定膜；去除划片凹槽内以及P极多层金属粘合层和N极多层金属粘合层上的固定膜；并设置与P极多层金属粘合层电学连接的P极导电支撑厚金属层及与N极多层金属粘合层 电学连接的N极导电支撑厚金属层，该P极导电支撑厚金属层与该N极导电支撑厚金属层的一端外露于固定膜，制成带衬底的整片GaN基外延薄膜器件；i、将上述整片GaN基外延薄膜器件固定在蓝膜上，通过激光烧蚀剥离衬底，衬底剥离后，经划片凹槽分割的整片GaN基外延薄膜器件分离为多个薄膜LED芯片器件。