[发明专利]薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201210095497.0 | 申请日： | 2012-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103367404A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括基板、活性层、栅极、源极电极以及漏极电极。所述活性层设置在基板上，其包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧的源极及漏极。所述栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅极绝缘层。所述源极电极和漏极电极分别对应设置在源极及漏极上。源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间还设有载流子浓度高于活性层的N型III族氮化物导电层。由N型III族氮化物导电层可以有效降低源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板、活性层、栅极、源极电极以及漏极电极，所述活性层设置在基板上，其包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧的源极及漏极，所述栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅极绝缘层，所述源极电极和漏极电极分别对应设置在源极及漏极上，其特征在于：源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间还设有载流子浓度高于活性层的N型III族氮化物导电层。
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