[发明专利]薄膜晶体管无效

申请号：	201210095497.0	申请日：	2012-04-02
公开（公告）号：	CN103367404A	公开（公告）日：	2013-10-23
发明（设计）人：	曾坚信	申请（专利权）人：	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号：	H01L29/417	分类号：	H01L29/417;H01L29/786
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地址：	518109 广东省深圳市***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

目前，薄膜晶体管因为具有低电压、反应快速、开口率高等优点，已被大量应用在液晶显示器之中。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分，其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。

漏极、源极以及沟道层共同组成一活性层，该活性层通常采用氧化铟镓锌（IGZO）等氧化物半导体材料构成，其载流子浓度一般在1x10¹⁵~1x10¹⁸ cm^-3，由于活性层的载流子浓度低，因此在形成源极电极和漏极电极时，源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间的接触电阻会较高，因此会提高薄膜晶体管的驱动电压，降低薄膜晶体管对信号的反应速度。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种能够降低源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间的接触电阻的薄膜晶体管。

一种薄膜晶体管，包括基板、活性层、栅极、源极电极以及漏极电极。所述活性层设置在基板上，其包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧的源极及漏极。所述栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅极绝缘层。所述源极电极和漏极电极分别对应设置在源极及漏极上。源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间还设有载流子浓度高于活性层的N型III族氮化物导电层。

上述的薄膜晶体管通过在源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间设有一高载流子浓度的N型III族氮化物导电层，可以有效降低源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间的接触电阻，使薄膜晶体管的驱动电压降低，提高对信号的反应速度。

附图说明

图1为本发明第一实施方式中的薄膜晶体管结构示意图。

图2为本发明第二实施方式中的薄膜晶体管结构示意图。

图3为图2所示的薄膜晶体管加入蚀刻阻挡层后的结构示意图。

主要元件符号说明