[发明专利]LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构，其场氧化层与场极板接触部分的的上翘点不在鸟嘴位置，而是横向延伸至场氧化层内。本发明还公开了该场氧化层隔离结构的制备方法，在场氧化层生长后，栅极氧化层生长前，进行以下步骤：1)用硬掩膜覆盖非场极板区域；2)炉管成长氧化层；3)同向刻蚀，在有源区和场氧区同时向下和侧向刻去厚度为牺牲氧化层厚度的氧化层；4)刻蚀除去硬掩膜。本发明通过改变场氧化层的结构，使场极板的水平部分向场氧化层内伸展，增强了场极板对鸟嘴区电场的抑制作用，同时分离了场极板和有源区在鸟嘴附近的大曲率点，使两强电场间的相互作用减小，从而降低了鸟嘴区的电场强度，提高了器件的耐压能力。

主权项

一种制备LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构的方法，其特征在于，在生长完场氧化层后，生长栅极氧化层前，包括有以下工艺步骤：1)用硬掩膜覆盖非场极板区域；2)炉管成长牺牲氧化层；3)同向刻蚀，在有源区和场氧区同时向下和向侧向刻去厚度为牺牲氧化层厚度的氧化层；4)刻蚀除去硬掩膜。