[发明专利]一种提高纳米晶体硅薄膜中载流子注入效率的方法无效
| 申请号： | 201210079923.1 | 申请日： | 2012-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102618832A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李丁;陈永彬;陆明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于材料发光技术领域，具体为一种提高纳米晶体硅薄膜电致发光中载流子注入效率的方法。具体步骤为：P-Si衬底上制作SiO/Si多层发光膜。通过构造SiO/Si多层发光膜结构，纳米级厚度的SiO与Si层分别都能产生纳米晶体硅，同时Si层的引入，还能增加载流子的注入效率，进一步提高纳米晶体硅的电致发光强度。本发明方法可以解决纳米晶体硅薄膜中载流子注入困难的问题，提出一种不需要将纳米晶体硅整齐排列而获得高强度的电致发光的方法，对研究硅基光电集成的实用硅光源有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 晶体 薄膜 载流子 注入 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高纳米晶体硅薄膜中载流子注入效率的方法，其特征在于具体步骤如下： （1）在P‑Si衬底上应用电阻加热和电子束加热的方法交替蒸镀SiO、Si，构成SiO/Si复合薄膜，SiO和Si的厚度比例为3.75：1‑‑4：1，周期数位30‑40周期；（2）将制备好的复合薄膜放入石英管中，在氮气保护下进行高温退火，温度为1100‑1200℃，其中氮气流量为100‑180L/h；（3）在复合薄膜背面蒸镀Al电极，镀好电极后，样品在480‑500℃下加热8‑10分钟，形成欧姆接触；（4）在复合薄膜正面蒸镀环形Al电极，中间留出一个小口出光。
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