[发明专利]薄膜电阻结构有效
申请号: | 201210072622.6 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN103325844B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 魏铭德;曹博昭;蔡振华;陈建仰;梁家瑞;陈铭聪 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/8605 | 分类号: | H01L29/8605;H01C7/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种薄膜电阻结构,其包含有一基底,一覆盖于该基底之上平坦的底层间介电层,多个第一接触,位于该底层间介电层之中,且各该第一接触的一顶面切齐该底层间介电层的一顶面,一平坦的顶层间介电层,位于该底层间介电层之上,多个第二接触,位于该顶层间介电层之中,且各该第二接触的一顶面切齐该顶层间介电层的一顶面,以及一薄膜电阻,位于该底层间介电层与该顶层间介电层之间。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 电阻 结构 | ||
【主权项】:
一种薄膜电阻结构,包含有:基底;平坦的底层间介电层,覆盖于该基底之上;多个第一接触,位于该底层间介电层之中,且各该第一接触的一顶面切齐该底层间介电层的一顶面;第二停止层,位于该底层间介电层之上且与该底层间介电层直接接触;平坦的顶层间介电层,位于该第二停止层之上;多个第二接触,位于该顶层间介电层之中,且各该第二接触的一顶面切齐该顶层间介电层的一顶面;以及薄膜电阻,位于该第二停止层与该顶层间介电层之间,其中至少一该第二接触穿透该薄膜电阻及该第二停止层,且切齐于该第二停止层的底面。
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