[发明专利]半导体装置以及其制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，具备：在第1导电型的半导体基板的上表面形成多个沟槽的工序；在上述沟槽的内面上形成栅绝缘膜的工序；在上述沟槽内的下部埋入栅电极的工序；在上述沟槽内的上部埋入绝缘部件的工序；将上述半导体基板的上层部除去从而使上述绝缘部件从上述半导体基板的上表面突出的工序；以覆盖突出的上述绝缘部件的方式形成掩模膜的工序；将在上述掩模膜的在上述绝缘部件的侧面上形成的部分作为掩模而向上述半导体基板注入杂质从而形成第2导电型的载流子排出层的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，具备以下工序：在第1导电型的半导体基板的上表面形成多个沟槽的工序；在上述沟槽的内面上形成栅绝缘膜的工序；在上述沟槽内的下部埋入栅电极的工序；在上述沟槽内的上部埋入绝缘部件的工序；将上述半导体基板的上层部除去从而使上述绝缘部件从上述半导体基板的上表面突出的工序；向上述半导体基板导入杂质从而形成第2导电型的基底层的工序，该第2导电型的基底层形成在上述半导体基板的比上述栅电极的下端靠上方的部分；以覆盖突出的上述绝缘部件的方式形成掩模膜的工序；向上述基底层导入杂质从而形成第1导电型的第1半导体层的工序，该第1导电型的第1半导体层形成在上述基底层的上层部且下表面是比上述栅电极的上端靠下方的部分；将上述掩模膜的在上述绝缘部件的侧面上形成的部分作为掩模、向上述半导体基板注入杂质从而形成第2导电型的载流子排出层的工序，该第2导电型的载流子排出层形成在上述基底层的一部分以及上述第1半导体层的一部分，且实际有效的杂质浓度比上述基底层的实际有效的杂质浓度高；以与上述半导体基板的上表面连接的方式形成第1电极的工序；以及以与上述半导体基板的下表面连接的方式形成第2电极的工序。