[发明专利]硅晶圆微盲孔金属填充方法及装置无效
| 申请号： | 201210068065.0 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102593049A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;徐明海;师帅;王宇哲 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充方法，将加工有多个小孔的孔板置于硅晶圆的表面，孔板上的小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；将多个金属小球洒在孔板上，并用毛刷扫动使得孔板的每一个小孔内有一个金属小球，清除孔板上多余的金属小球；将硅晶圆置于真空环境加热，小孔内的金属小球熔化；对熔化的金属小球加压实现微盲孔填充。本发明还提供了填充装置，主要包括孔板和真空回流装置。本发明通过孔板小孔大小和厚度，金属小球的大小来控制每个小孔内外金属体积和位置，并通过抽真空来避免盲孔填充金属时由于孔内气室和金属表面张力的作用而导致空洞缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆微盲孔 金属 填充 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种硅晶圆微盲孔金属填充方法，具体为：将加工有多个小孔的孔板置于硅晶圆的表面，孔板上的小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；将多个金属小球洒在孔板上，并用毛刷扫动使得孔板的每一个小孔内有一个金属小球，清除孔板上多余的金属小球；将硅晶圆置于真空环境加热，小孔内的金属小球熔化；对熔化的金属小球加压实现微盲孔填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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