[发明专利]射频串联分压式数字/模拟兼容移相器

摘要

本发明公开了一种射频串联分压式数字/模拟兼容移相器。它由两个单元电路构成，一个单元电路为反射型数字模拟兼容移相电路，并构成具有０～３６０度的相位变化；另一个单元电路为串联分压式数字/模拟控制转换电路，构成对移相电路相位的数字/模拟兼容控制；反射型数字/模拟移相器电路和串联分压式数字/模拟控制转换电路构成射频串联分压式数字/模拟兼容移相器。本发明的电路拓扑和设计过程简单，制造工艺简便，成品率高，芯片面积小，插入损耗低，相移精度高，相移步进细，输入和输出电压驻波比低，各移相态插入损耗差值小。

主权项

一种射频串联分压式数字/模拟兼容移相器，其特征在于：它由一个单元电路构成，该单元电路为反射型数字/模拟兼容的移相电路，并构成具有0～360度的相位变化；所述的单元电路由射频数字/模拟兼容移相器电路和数字/模拟控制转换电路连接组成，该射频数字/模拟移相器电路包括第一信号输入端（INPUT）、第一信号输出端（OUTPUT）和第一控制信号输入端（P），该第一信号输入端和第一信号输出端分别构成单元电路的信号输入端和信号输出端；所述的数字/模拟控制转换电路由控制信号输入端（VC0）、（VC1）、（VC2）、......、（VCn）、 分压电阻（r0）、（r1）、（r3）、......、（r(2n‑1)）、控制场效应晶体管（f1）、（f2）、......（fn）和偏置电阻（r2）、（r4）......、（ r(2n)）构成，其中第0分压电阻（r0）和第一分压电阻（r1）的公共连接点P构成数字/模拟控制转换电路的控制信号输出端，所述的分压电阻（r1）、（r3）、......、（r(2n‑1)）分别连接在控制场效应晶体管（f1）、（f2）、……、（fn）的源极和漏极之间后再与第0分压电阻（r0）串联构成电调可控的分压网络，该数字/模拟控制转换电路的控制信号输出端与所述的射频数字/模拟移相器电路的控制信号输入端连接；所述单元电路的射频数字/模拟移相器电路中,信号输入端连接第一微带线（M1）的一端，该第一微带线（M1）的另一端连接第一环形器（B1）的1号端口，信号由第一环形器（B1）的1号端口单向流入第一环形器（B1）的2号端口，第一环形器（B1）的2号端口连接第三微带线（M3）的一端，第三微带线（M3）的另一端分别连接第一电阻（R1）的一端和第0场效应管（F1）的漏极，该第一电阻（R1）的另一端接第一电容（C1）的一端，该第一电容（C1）的另一端接地，所述的第一场效应管（F1）的源极分别连接第二电阻（R2）的一端和第二电容（C2）的一端，该第二电阻（R2）的另一端和第二电容（C2）的另一端接地，该第0场效应管（F1）的栅极连接第三电阻（R3）的一端，该第三电阻（R3）的另一端为射频数字/模拟移相器电路的第一控制信号输入端（P）；该第一控制信号输入端（P）连接数字/模拟控制转换电路中的控制信号输出端，第一控制信号输入端（P）接第0分压电阻（r0）的一端，该第0分压电阻（r0）的一端还与第一场效应晶体管（f1）的源极和第一分压电阻（r1）的一端相接，第0分压电阻（r0）的另一端连接第C0控制信号端（VC0），该第一场效应晶体管（f1）的栅极连接第二偏置电阻（r2）的一端，该第二偏置电阻（r2）的另一端连接第C1控制信号输入端（VC1），所述的第一场效应晶体管（f1）的源极和第一分压电阻（r1）的另一端连接第二场效应晶体管（f2）的漏极和第三分压电阻（r3）的一端，该第二场效应晶体管（f2）的栅极连接第四偏置电阻（r4）的一端，该第四偏置电阻（r4）的另一端连接第C2控制信号输入端（VC2），该第二场效应晶体管（f2）的源极和第三分压电阻(r3)的另一端连接下一级场效应晶体管的漏极和对应的分压电阻的一端，依次类推，第n个场效应晶体管(fn)的漏极和第2n‑1分压电阻(r(2n‑1))的一端连接上一级场效应晶体管的源极和相应的分压电阻的对应端，该第n个场效应晶体管(fn)的栅极连接第2n偏置电阻(r2n)的一端，该第2n偏置电阻(r2n)的另一端连接第Cn控制信号输入端(VCn)，该第n个场效应晶体管(fn)的源极和第2n‑1分压电阻(r(2n‑1))的另一端接地；流入第一环形器（B1）的2号端口的信号经过这条支路后原路反射到第一环形器（B1）的2号端口，反射回来的信号经过第一环形器（B1）单向由2号端口流入3号端口输出，第一环形器（B1）的3号端口与第二微带线（M2）的一端相连接，第二微带线（M2）的另一端从射频信号的第一输出端口（OUTPUT）输出，产生相移量。