[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201210061934.7 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103137813B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎宏德;西川幸江 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体发光元件具有能放射光的第1半导体层；与上述第1半导体层相向的第1主面；具有与上述第1主面相反一侧的第2主面的第2半导体层，在上述第2主面具有设有多个凸起的第1区域和不设上述凸起的第2区域。再者，还具备：电介质膜，设置在上述凸起的至少前端部；及电极，设置在上述第2区域之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层，能放射光，第2半导体层，具有与上述第1半导体层相向的第1主面和与上述第1主面相反一侧的第2主面，在上述第2主面上具有设有多个凸起的第1区域和未设有上述凸起的第2区域，与上述第2主面垂直的剖面处的上述凸起的一个底角大于等于90度，电介质膜，覆盖上述凸起的前端部，在与上述凸起的侧面垂直的方向上成为最大膜厚，电极，设置在上述第2区域之上，及树脂，对上述凸起和上述电介质膜进行覆盖。
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