[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210060331.5 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102832305B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 韩大燮;文用泰;沈钟寅 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司;汉阳大学校产学协力团埃丽卡校区 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件，包括第一导电型半导体层；设置在第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层；以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括量子阱层和量子势垒层，其中各个量子势垒层包括第一势垒层和设置在第一势垒层之间的第二势垒层，并且第二势垒层的能带隙大于量子阱层的能带隙并且小于第一势垒层的能带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电型半导体层；设置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层；以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层，所述有源层包括量子阱层和量子势垒层，其中各个所述量子势垒层包括第一势垒层和设置在所述第一势垒层之间的第二势垒层；并且所述第二势垒层的能带隙大于所述量子阱层的能带隙并且小于所述第一势垒层的能带隙，以及其中所述第一势垒层和所述第二势垒层中的每一个含有铟，以及其中各个所述第一势垒层的厚度为1nm或更小，以及所述第二势垒层的厚度为5nm或更小，其中所述第一势垒层的能带隙大于所述第一导电型半导体层的能带隙和所述第二导电型半导体层的能带隙，以及其中所述第一导电型半导体层将电子注入所述有源层中并且所述第二导电型半导体层将空穴注入所述有源层中。
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