[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电型半导体层；

设置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层；以及

设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层，所述有源层包括量子阱层和量子势垒层，

其中各个所述量子势垒层包括第一势垒层和设置在所述第一势垒层之间的第二势垒层；并且

所述第二势垒层的能带隙大于所述量子阱层的能带隙并且小于所述第一势垒层的能带隙，以及

其中所述第一势垒层和所述第二势垒层中的每一个含有铟，以及

其中各个所述第一势垒层的厚度为1nm或更小，以及所述第二势垒层的厚度为5nm或更小，

其中所述第一势垒层的能带隙大于所述第一导电型半导体层的能带隙和所述第二导电型半导体层的能带隙，以及

其中所述第一导电型半导体层将电子注入所述有源层中并且所述第二导电型半导体层将空穴注入所述有源层中。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一势垒层为其中电子或空穴隧穿的层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一势垒层的能带隙彼此相等。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一势垒层的能带隙是均一的。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二势垒层的能带隙彼此相等。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二势垒层的能带隙是均一的。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中量子阱层含有铟。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二势垒层的铟含量大于所述第一势垒层的铟含量。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二势垒层的铟含量小于所述量子阱层的铟含量。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中各个所述量子阱层具有经验式In_xGa_1-xN，0.14≤x≤0.15。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中各个所述第一势垒层具有经验式In_xGa_1-xN，0≤x<0.05。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二势垒层具有经验式In_xGa_1-xN，0.05≤x≤0.1。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件，还包括：

设置在所述第一导电型半导体层下的衬底；

设置在所述第二导电型半导体层上的导电层；

设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极；以及

设置在所述导电层上的第二电极。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件，还包括：

设置在所述第二导电型半导体层下的欧姆层；

设置在所述欧姆层下的反射层；

设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极；以及

设置在发光结构的侧表面上的钝化层。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二势垒层为非发光层。

16.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二势垒层的能带隙大于所述量子阱层中的电子的第一能级和空穴的第一能级之间的差。

17.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一势垒层通过隧穿效应传输电子和空穴。

18.根据权利要求1所述的发光器件，其中电子和空穴沿着由所述量子阱层、所述第一势垒层和所述第二势垒层构成的隧穿路径传输。