[发明专利]相变存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201210053864.0 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103296202A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，其包括第一区域、第二区域；沉积介电层，在半导体衬底第二区域上的介电层内形成下电极；沉积相变材料，对其进行刻蚀，以在介电层上方对应下电极的位置形成图形化相变材料层、对应半导体第一区域的局部位置形成伪相变垫，图形化相变材料层与伪相变垫之间存在间隔，伪相变垫至少包括两个部分，相邻部分之间存在间隔；形成伪相变垫之后，对半导体衬底进行清洗处理。本发明将伪相变垫分割为彼此之间存在间隔的多个部分之后，有效改善了在相变材料刻蚀后的清洗处理过程中伪相变垫易剥落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底，其包括第一区域、第二区域；沉积介电层，在第二区域的介电层内形成下电极；沉积相变材料，而后对其进行刻蚀，以在所述介电层上方对应下电极的位置形成图形化相变材料层、对应第一区域的局部位置形成伪相变垫，所述图形化相变材料层与所述伪相变垫之间存在间隔，所述伪相变垫至少包括两个部分，相邻部分之间存在间隔；对形成有所述图形化相变材料层、伪相变垫的介电层进行清洗处理。
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