[发明专利]存储器的操作方法有效
| 申请号： | 201210048689.6 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102568558B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 江红;徐翌;肖军;孔蔚然;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器及其操作方法。所述存储器包括包含多个共源极存储单元的存储单元阵列，所述多个共源极存储单元分别包括两个子存储单元，各个子存储单元分别对应一条位线，并且各条位线的电性独立。本发明存储器中的各个子存储单元分别对应一条位线，并且各条位线的电性独立，从而在编程操作过程中，就可以有效地避免对其他不需要编程操作的存储单元的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器的操作方法，其特征在于，包括：在共源极的两个子存储单元的字线上施加字线电压、在共源极线上施加共源极线电压，在所述共源极的两个子存储单元对应的两条位线上施加相应的位线电压或位线电流，其中，共源极的两个子存储单元分别对应两条字线和两条位线，每个子存储单元对应一条字线和一条位线，并且所述两条字线与两条位线均电性独立，所述共源极的两个子存储单元对应的字线相连；在对共源极的两个子存储单元中的其中一个子存储单元进行编程操作时，在另一个子存储单元对应的位线上施加电源电压；所述对共源极的两个子存储单元中的其中一个子存储单元进行编程操作包括：对字线施加1.5V的字线电压，对共源极线施加9V的共源极电压，对应的位线上施加0.8V的位线电压。
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