[发明专利]多功能图像传感器及其制作方法有效
申请号: | 201210046954.7 | 申请日: | 2012-02-27 |
公开(公告)号: | CN102569325A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 苗田乐;陈杰;汪辉;方娜;田犁 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 成春荣;竺云 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及图像传感器领域,公开了一种多功能图像传感器及其制作方法。本发明中,在传统的CMOS图像传感器的基础上,增加了新的掺杂区,与感光器件表面上的一个掺杂区形成发光二极管结构,使CMOS图像传感器同时具有感光和发光的功能。在衬底上形成转移晶体管的栅极,可以进一步地提高图像传感器的集成度。第二区域为P型半导体可以提高光敏感性,消除表面态和表面缺陷引起的暗电流,从而减小热噪声。第二区域和第一区域之间的PN结构成图像传感器的感光器件,第二区域的掺杂浓度远大于第一区域的掺杂浓度,这样可以使耗尽层更厚,使光线吸收更好。驱动频率至少为24Hz,符合人体视觉暂留的时间,可以产生无停滞感的连续图像。 | ||
搜索关键词: | 多功能 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种多功能图像传感器,其特征在于,包括:第一类型半导体的衬底,该衬底上有第二类型半导体的第一区域,在该第一区域中有第一类型半导体的第二区域和第二类型半导体的第三区域;第一区域的掺杂浓度高于衬底的掺杂浓度,第二区域和第三区域的掺杂浓度高于第一区域的掺杂浓度;从第二区域和第三区域分别引出与外部发光二极管驱动电路相连的电极,第二区域作为感光器件的输出端与实现图像传感器功能的其它电路连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的