[发明专利]具有较少等离子体损害的集成电路制作方法无效
| 申请号： | 201210038985.8 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103021836A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 章正欣;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有较少等离子体损害的集成电路制作方法，包括：提供一基底；形成一结构层于基底上；及形成一光致抗蚀剂层于结构层上；对结构层进行一蚀刻工艺，其中光致抗蚀剂层具导电性，以减少蚀刻工艺中的等离子体损害。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 较少 等离子体 损害 集成电路 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有较少等离子体损害的集成电路制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；形成一结构层于该基底上；形成一导电光致抗蚀剂层于该结构层上，该导电光致抗蚀剂层于一光致抗蚀剂材料中掺杂导电高分子形成；及对该结构层进行一蚀刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
