[发明专利]曝光电子束正性抗蚀剂的方法有效
| 申请号： | 201210037319.2 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103257523A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周华杰;徐秋霞;牛洁斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/039 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种曝光电子束正性抗蚀剂的方法，包括：清洁衬底表面；脱水烘培；旋涂电子束正性抗蚀剂；前烘工艺，消除电子束正性抗蚀剂的应力；电子束曝光；显影得到纳米级掩膜图形。依照本发明的电子束正性抗蚀剂曝光方法，采用简单可靠的物理方法降低了工艺成本，无需采用增粘剂从而避免了其对人体及环境的破坏和污染，此外还避免了抗蚀剂产生裂纹，因此提高了纳米尺度结构及器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 电子束 正性抗蚀剂 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光电子束正性抗蚀剂的方法，包括：清洁衬底表面；脱水烘培；旋涂电子束正性抗蚀剂；前烘工艺，消除电子束正性抗蚀剂的应力；电子束曝光；显影得到纳米级掩膜图形。
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