[发明专利]上部电极和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201210033958.1 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102647846A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 松山昇一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提高等离子体的均匀性。本发明提供一种平行平板型的等离子体处理装置用的上部电极(105)，包括：由电介质形成的基材(105a)；和导电体层(110)，在上述基材(105a)的表面中，至少在上述等离子体处理装置的下部电极(210)侧的表面的一部分上形成，上述导电体层(110)以上述下部电极(210)侧的表面的外侧比内侧密的方式具有疏密的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 上部 电极 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种平行平板型的等离子体处理装置用的上部电极，包括：由电介质形成的基材；和导电体层，在所述基材的表面中，至少在所述等离子体处理装置的下部电极侧的表面的一部分上形成，所述导电体层以所述下部电极侧的表面的外侧区域比内侧区域密的方式具有疏密的图案。
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