[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201210030437.0 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN102569429A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 饶金华;张克云;吴小利 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/94 | 分类号: | H01L29/94;H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 根据本发明的图像传感器包括:光感元件、传输管、重置晶体管、以及源跟随晶体管;其中,在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容,所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联;并且,在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层的体内形成了一个二氧化硅层。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,其特征在于包括:光感元件、传输管、重置晶体管以及源跟随晶体管;其中,在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容,所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联;并且,在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层的体内形成了一个二氧化硅层。
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