[发明专利]图像传感器在审
| 申请号： | 201210030437.0 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102569429A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 饶金华;张克云;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种图像传感器，其特征在于包括：光感元件、传输管、重置晶体管以及源跟随晶体管；其中，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容，所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联；并且，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层的体内形成了一个二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述二氧化硅层是通过离子注入以及退火工艺形成的。
3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述浮置扩散区多晶硅层中间开孔，并且金属接触填充了所述孔。
4.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述光感元件是光电二极管。
5.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器是CMOS图像传感器。
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