[发明专利]串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法在审
申请号: | 201210030427.7 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN102543200A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 吴小利;令海阳;唐树澍 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C17/08 | 分类号: | G11C17/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法。串联晶体管型一次可编程存储器由两个晶体管串联组成;其中第一个晶体管的漏极与第二个晶体管的源极共用,第一个晶体管作的栅极为控制栅极;第二个晶体管作的栅极为浮栅。在对所述串联晶体管型一次可编程存储器单元进行读取时,所述第一个晶体管的源极电压Vs=-Vdd,所述第一个晶体管的控制栅极电压Vg=-Vdd,衬底偏置电压Vb=0,所述第二个晶体管的漏极电压Vd=0。 | ||
搜索关键词: | 串联 晶体管 一次 可编程 存储器 读取 方法 | ||
【主权项】:
一种串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法,串联晶体管型一次可编程存储器由两个晶体管串联组成;其中第一个晶体管的漏极与第二个晶体管的源极共用,第一个晶体管的栅极为控制栅极;第二个晶体管作的栅极作为浮栅,其特征在于所述读取方法包括:在对所述串联晶体管型一次可编程存储器单元进行读取时,所述第一个晶体管的源极电压Vs=‑Vdd,所述第一个晶体管的控制栅极电压Vg=‑Vdd,衬底偏置电压Vb=0,所述第二个晶体管的漏极电压Vd=0。
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