[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成具有第一宽度的第一子浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上形成覆盖第一子浅沟槽隔离结构的第一外延层；在第一外延层中形成具有第二宽度的第二子浅沟槽隔离结构，第二子浅沟槽隔离结构位于第一子浅沟槽隔离结构的正上方，第二宽度大于第一宽度；在第一外延层上形成覆盖第二子浅沟槽隔离结构的第二外延层；在第二外延层中形成具有第三宽度的第三子浅沟槽隔离结构，第三子浅沟槽隔离结构位于第二子浅沟槽隔离结构的正上方，第三宽度小于第二宽度。该浅沟槽隔离结构呈“十”字形来保证载流子在阱区和阱区相对侧的晶体管的源/漏极之间的移动路径，以保证其隔离性。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：a)提供半导体衬底；b)在所述半导体衬底中形成具有第一宽度的第一子浅沟槽隔离结构；c)执行所述半导体衬底的第一外延生长工艺，以在所述半导体衬底上形成覆盖所述第一子浅沟槽隔离结构的第一外延层；d)在所述第一外延层中形成具有第二宽度的第二子浅沟槽隔离结构，所述第二子浅沟槽隔离结构位于所述第一子浅沟槽隔离结构的正上方，且与所述第一子浅沟槽隔离结构接触，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度；e)执行所述半导体衬底的第二外延生长工艺，以在所述第一外延层上形成覆盖所述第二子浅沟槽隔离结构的第二外延层；以及f)在所述第二外延层中形成具有第三宽度的第三子浅沟槽隔离结构，所述第三子浅沟槽隔离结构位于所述第二子浅沟槽隔离结构的正上方，且与所述第二子浅沟槽隔离结构接触，所述第一到第三子浅沟槽隔离结构共同形成浅沟槽隔离结构，其中，所述第三宽度小于所述第二宽度。