[发明专利]去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路有效
| 申请号： | 201210027573.4 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103247697A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张现聚;苏志强;丁冲 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种去耦电容器，包括去耦电容和与MOS晶体管的栅极连接的电阻，去耦电容为MOS晶体管。本申请还提供了一种集成电路，包括去耦电容器，去耦电容器包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，PMOS晶体管的漏端连接到NMOS晶体管的栅极，NMOS晶体管的漏端连接到PMOS晶体管的栅极，PMOS晶体管的源极电压高于NMOS晶体管的源极电压。本申请的去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路，能够增强去耦电容器和集成电路的ESD防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 具有 集成电路 | ||
【主权项】：
一种去耦电容器，其特征在于，包括：去耦电容，所述去耦电容为MOS晶体管；和与所述MOS晶体管的栅极连接的电阻。
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