[发明专利]SRAM定时单元装置和方法有效

专利信息
申请号: 201210021129.1 申请日: 2012-01-30
公开(公告)号: CN102800355A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 王俐文;周绍禹;林志宇;詹伟闵;陈炎辉;王平 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;房岭梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了SRAM定时单元装置和方法,具体公开了用于提供SRAM定时跟踪单元电路。在实施例中,该装置包括:SRAM阵列,该阵列包括成行和成列布置的静态随机存储器单元;多个字线,每个字线都沿着其中一行与存储器单元连接;时钟发生器,用于输出时钟信号;字线发生电路,用于响应于一个时钟信号在多个字线上产生脉冲,并且用于响应于一个时钟信号结束脉冲;跟踪单元,用于按照SRAM跟踪时间接收时钟信号以及向时钟发生电路输出字线脉冲结束信号;其中,跟踪单元进一步包括设置于SRAM阵列中并且串联的SRAM跟踪电路,用于提供指示SRAM跟踪时间的信号。本发明还公开了用于SRAM定时的方法。
搜索关键词: sram 定时 单元 装置 方法
【主权项】:
一种装置,包括:SRAM阵列,包括成行和成列设置的静态随机访问存储器单元;多个字线,每个字线都沿着其中一行与存储器单元连接;多个位线对,为真并且互补,每个位线对都沿着其中一列与存储器单元连接;读出放大器,与其中一个为真并且互补的位线对连接,用于感应所述位线对上的差分电压;时钟发生电路,用于输出时钟信号;字线发生电路,用于响应于一个时钟信号在所述多个字线上产生脉冲,并且用于响应于一个时钟信号结束所述脉冲;以及跟踪单元,用于按照SRAM跟踪时间接收时钟信号以及向所述时钟发生电路输出字线脉冲结束信号;其中,所述跟踪单元进一步包括设置于所述SRAM阵列中并且串联的SRAM跟踪电路,用于提供指示所述SRAM跟踪时间的信号。
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